A high electron mobility transistor (HEMT) is a field-effect transistor incorporating a junction between two materials with different band gaps (i.e., a heterojunction).
एक उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता ट्रांजिस्टर (HEMT) एक फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर है जिसमें दो पदार्थों के बीच एक जंक्शन होता है जिनके बंद अंतराल अलग-अलग होते हैं (यानी एक हेटेरोजंक्शन)।
English Usage: High electron mobility transistors are used in microwave and millimeter-wave communications.
Hindi Usage: उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता ट्रांजिस्टरों का उपयोग माइक्रोवेव और मिलीमीटर-वेव संचार में किया जाता है।
Transliteration of उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता ट्रांजिस्टर
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